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等离子刻蚀设备 Etcher
等离子干法刻蚀技术是利用等离子体进行薄膜微细加工的技术。在典型的干法刻蚀工艺过程中，一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，干法刻蚀技术由于具有良好的各向异性和工艺可控性已被广泛应用于微电子产品制造领域，凭借在等离子体控制、反应腔室设计、刻蚀工艺技术、软件技术的积累与创新，大阳集团娱乐网址777微电子在集成电路、半导体照明、微机电系统、先进封装、功率半导体等领域可提供高端装备及工艺解决方案。形成了对硅、介质、化合物半导体、金属等多种材料的刻蚀能力，刻蚀设备已进入主流芯片代工厂，其余各类产品也凭借其优异的工艺性能成为了客户的优选。
集成电路 IC
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NMC508M 8英寸铝金属刻蚀机是应用于0.11-0.35um制程集成电路金属互连线刻蚀工艺的干法刻蚀机。
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NMC508C 8英寸硅刻蚀机是应用于0.11-0.35um制程集成电路（多晶硅栅极和浅沟槽隔离等）硅刻蚀工艺的干法刻蚀机。
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NMC612C 12英寸硅刻蚀机是应用于90-40nm制程集成电路浅沟槽隔离刻蚀和多晶硅栅极刻蚀的干法刻蚀设备。
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NMC612D 12英寸硅刻蚀机是应用于先进制程集成电路的干法刻蚀设备，用于FinFET，STI和Gate刻蚀工艺。
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NMC612M 12英寸氮化钛金属硬掩膜刻蚀机是应用于40-28nm制程集成电路的金属干法刻蚀设备，用于TiN，HR，M0C，HK等刻蚀工艺。
先进封装 Advanced Packaging
微机电系统 MEMS
半导体照明 LED
分析仪器 Analysis Instrument
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GSE系列刻蚀机是应用于8英寸及以下III-V族半导体、失效分析和研发等领域多种材料刻蚀工艺的干法刻蚀机。
功率器件 Power Devices
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GDE C200系列单片刻蚀机是应用于GaN和SiC功率器件领域的介质刻蚀设备，适用8英寸及以下晶圆。
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GSE系列刻蚀机是应用于8英寸及以下III-V族半导体、失效分析和研发等领域多种材料刻蚀工艺的干法刻蚀机。
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广泛应用在功率器件产业，用于IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀
光通信器件 Optical Information Devices
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GSE系列刻蚀机是应用于8英寸及以下III-V族半导体、失效分析和研发等领域多种材料刻蚀工艺的干法刻蚀机。